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固体电子学研究与进展

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固体电子学研究与进展2024年03期
 
  • 宽禁带半导体
  • 水平结构氢终端金刚石MOSFET的研究进展尹灿;邢艳辉;张璇;张丽;于国浩;张学敏;张宝顺;
  • 用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究潘传奇;王登贵;周建军;胡壮壮;严张哲;郁鑫鑫;李忠辉;陈堂胜;
  • 增强型p-GaN栅HEMT器件的抗辐照性能研究胡壮壮;王登贵;李雪;周建军;孔月婵;陈堂胜;
  • 拉伸应变下SiC/SiO_2近界面碳缺陷的结构和电学特性演变马玉洁;刘涵;张圆;崔鹏飞;苏艳;王德君;
  • 射频微波与太赫兹
  • 一种基于GaAs pHEMT工艺的18~40 GHz六位高精度数控移相器张天羽;韩群飞;陶洪琪;
  • 基于PSO-BP神经网络的可缩放微波晶体管非线性电流建模戴鹏飞;戚军军;吕红亮;
  • 基于子阵结构的卫通抗干扰天线技术何凌云;胡大成;
  • 基于并联新型谐振器的双频滤波器张胜;解鑫;于梦杰;
  • 微电子与微系统
  • 基于环形游标时间数字转换器的编码转换电路费宏欣;刘海涛;吴旭鹏;任静;方玉明;
  • 一种可降低开关电源电磁干扰的扩频时钟电路钟超超;宋奎鑫;孔瀛;康磊;梁庭;
  • 空腔结构硅基载板封装的机械应力分析李岚清;石先玉;孙瑜;万里兮;张先荣;张睿;陆宇;
  • 基于Au/In键合的静电扭转微镜的设计与工艺研究王俊铎;胡钰玮;吴永强;单亚蒙;钱磊;沈文江;
  • 器件材料与工艺
  • 基于0.15μm SOI工艺的耐高温短沟器件设计与实现顾祥;张庆东;纪旭明;李金航;常瑞恒;
  • 铂电极的电感耦合等离子体刻蚀工艺研究宋琳;周燕萍;左超;上村隆一郎;杨秉君;
  • 纳米银浆低温烧结工艺及可靠性分析吴迪;方健;季子路;崔洪波;徐伟;
  • 专栏征稿
  • 《固体电子学研究与进展》专栏征稿主题:固态太赫兹器件及应用张凯;张波;
  • 主题:碳基电子器件及应用张志勇;李忠辉;
  • 研究简讯
  • 1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制张跃;柏松;李士颜;陈谷然;黄润华;杨勇;
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