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固体电子学研究与进展2024年01期
- 宽禁带半导体
- 1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件谯兵;郁鑫鑫;李忠辉;陶然;周建军;陈堂胜;
- 高k栅介质增强型β-Ga2O3 VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究王韬;张黎莉;段鑫沛;殷亚楠;周昕杰;
- 3300 V高性能混合SiC模块研制刘艳宏;杨晓菲;王晓丽;荆海燕;刘爽;
- 垂直氮化镓沟槽栅极场效应管的优化设计杨华恺;刘新科;姜梅;何仕杰;贺威;
- 射频微波与太赫兹
- 星载220 GHz分谐波混频器设计丁成;魏星;施永荣;
- 低插入损耗的5~14 GHz慢波时延器芯片设计全琪琪;戴新峰;沈一鸣;周光辉;
- 支撑轴宽度对兰姆波谐振器性能的影响赵洪元;房子敬;李昊;
- Sub-6 GHz GaAs pHEMT高功率吸收型单刀双掷开关陈梓雅;张志浩;周杰海;李玮鑫;章国豪;
- 微电子与微系统
- 芯粒集成系统封装I/O高速总线架构设计及实现张转转;缪旻;朱仕梁;段晓龙;
- 基于BCD工艺的LIN总线收发器设计杨雨辰;王志亮;孙力;谭庶欣;
- 基于电荷泵的倍增/反向双输出电压转换设计与实现张广璋;马奎;杨发顺;
- 器件材料与工艺
- 金属功函数波动效应快速预测方法及验证李怡宁;杨兰兰;屠彦;
- 大功率808 nm分布反馈激光器阵列研制孙春明;朱振;任夫洋;陈康;苏建;夏伟;徐现刚;
- 基于分数阶双忆阻器的多稳态混沌系统及其FPGA实现熊林海;吴朝俊;徐楚岩;
- 高温无铅电子封装技术研究进展俞铄城;
- 研究简讯
- 200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料张东国;李忠辉;魏汝省;杨乾坤;彭大青;李传皓;罗伟科;王克超;
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- 《固体电子学研究与进展》2023年度优秀论文获奖公告--