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固体电子学研究与进展2022年06期
- 宽禁带半导体
- 基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片孔令峥;彭龙新;陶洪琪;张亦斌;闫俊达;王维波;韩方彬;
- 器件物理与器件模拟
- 电力系统用高电压快速恢复二极管坚固性优化和峰;刘钺杨;刘江;李翠;王耀华;晁武杰;金锐;魏晓光;
- 新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化糜昊;马鑫;苗渊浩;芦宾;
- 背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理王海洋;郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗;
- 射频微波与太赫兹
- 碟形天线耦合的CVD石墨烯室温太赫兹探测器魏仲夏;吴云;曹正义;陶然;李忠辉;
- 一种高线性宽带功率合成的射频功率放大器汤委龙;张志浩;章国豪;彭林;陈思弟;
- 大动态高速响应数字AGC功能电路的实现原庆;刘希淼;梁雪明;
- 基于慢波特性扇形SIW的可调带通滤波器佘金川;陈耀忠;王凯;李正雄;张胜;仝梦寒;
- SiP模块键合线疲劳寿命预测及可靠性分析孙廷孝;巫君杰;王熙文;沈仕奇;朱旻琦;
- 硅微电子学
- 基于级间电容抵消技术的74~88 GHz高性能CMOS LNA设计康志谋;邹林峰;蒋欣怡;石春琦;张润曦;
- 基于优化正弦幅度相位相减法的并行高速ASIC数控振荡器设计任凤霞;卓琳;李琨;邵杰;万书芹;
- 用于5G移动终端N77频段的低噪声放大器设计陈亮;高洁;李亚军;屠德成;
- 材料与工艺
- 基于碳掺杂InGaAs材料的InP DHBT分子束外延生长研究于海龙;高汉超;王伟;马奔;尹志军;李忠辉;
- 少层氮化硼的生长机理及技术研究李传皓;李忠辉;彭大青;张东国;杨乾坤;潘传奇;沈睿;
- 交叉深沟槽硅外延的生长研究倪立华;范晓;王函;张召;李佳龙;
- 研究简讯
- 60 GHz 带宽石墨烯光电探测器陶然;吴云;曹正义;王东辰;李冠宇;李忠辉;
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- 《固体电子学研究与进展》2022年(第42卷)第1~6期总目次--